Мелитополь, 20 марта — ЗАН. Команда инженеров Научно-исследовательского института точного машиностроения (НИИТМ) создала первую в России установку для плазмохимического осаждения на кремниевых пластинах диаметром 300 мм.
Прежде для выполнения этой ключевой в производстве микросхем операции использовали импортное оборудование, а отечественные машины, в большинстве своем, были рассчитаны на технологические процессы, ориентированные на 200-миллиметровые кремниевые подложки.
«Новый комплекс предназначен для обработки кремниевых пластин диаметром 300 мм с возможностью изменения конфигурации для работы с пластинами 200 мм. Это дает возможность тестировать работу установки на производствах с учетом действующих 200-миллиметровых технологических процессов и обеспечить своевременную подготовку к переходу на работу на 300-миллиметровых пластинах», — рассказал «Известиям» начальник отдела перспективных разработок НИИТМ Георгий Ерицян.
Он пояснил, что для химического осаждения пластины помещают в реактор. Туда же подается газ, который под действием высокочастотного разряда превращается в плазму, в результате происходит реакция, и на поверхности пластины образуется тонкая пленка. Ерицян подчеркнул, что разработанные и апробированные технологии применимы как для существующих проектных норм, так и для перспективных — вплоть до интегральных схем с топологией 28 нанометров.
Сейчас опытный образец комплекса находится на этапе заключительных доработок и к лету пройдет тестовые испытания. Их проведут на площадке НИИ молекулярной электроники.